Ученые выяснили, что подача 7-вольтового импульса на ультратонкую пленку диоксида ванадия (VO2) вызывает структурные изменения не только в самой пленке, но и глубоко внутри поддерживающей ее сапфирово

Ученые выяснили, что подача 7-вольтового импульса на ультратонкую пленку диоксида ванадия (VO2) вызывает структурные изменения не только в самой пленке, но и глубоко внутри поддерживающей ее сапфировой подложки.
Диоксид ванадия — это материал, который может менять свои свойства с изолятора на проводник при подаче напряжения. Его активно используют в:
Также VO2 исследуют для создания мемристоров. Это электронные компоненты, способные запоминать предыдущие электрические сигналы, что важно для нейроморфных вычислений.
Ученые изучали пленки VO2, выращенные на сапфире. При подаче напряжения в пленке образовывалась узкая проводящая нить. Устройство также "помнило" предыдущие активации, что позволяло ему переключаться при более низком напряжении.
Для наблюдения за происходящим использовалась темнопольная рентгеновская микроскопия на источнике фотонов APS. Этот метод позволил увидеть изменения как на поверхности, так и глубоко под ней.
Обнаружилось, что проводящая нить расширялась с ростом напряжения, вызывая неравномерное напряжение в сапфировой подложке. Деформация распространялась на десятки микрометров вглубь сапфира и была гораздо сильнее, чем можно было бы объяснить простым нагревом.
Ученые перепроверили результаты на разных образцах и подложках, подтвердив обнаруженный эффект.
Это открытие особенно важно, так как электронные компоненты становятся все меньше и плотнее. Активность одного устройства может вызывать механические изменения в общей подложке, влияющие на соседние устройства.
Источник: Время электроники



