В современной силовой электронике наблюдается тенденция к уменьшению размеров чипов при одновременном повышении их мощности. Это требует новых подходов к конструкции корпусов, методам монтажа и матери

В современной силовой электронике наблюдается тенденция к уменьшению размеров чипов при одновременном повышении их мощности. Это требует новых подходов к конструкции корпусов, методам монтажа и материалам, которые используются в производстве.
Основные изменения:
Широкозонные полупроводники (ШЗП), такие как нитрид галлия или карбид кремния, играют ключевую роль в повышении мощности. Они позволяют работать при более высоких температурах (175°С и выше), что расширяет диапазон безопасной работы устройств. Однако такие температуры предъявляют особые требования к материалам, так как традиционные припои начинают разрушаться.
Также ужесточаются требования к:
Все эти изменения обусловлены стремлением к созданию более эффективных и надежных силовых полупроводниковых устройств.
Источник: Время электроники



