Китай показал прототип источника EUV для производства чипов

На 26-й Китайской международной промышленной выставке компания Langdao Silex представила свой первый прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения (EUV). Такие источники нужны для производства современных микросхем.

Особенности прототипа

• Локализация: Система на 90% состоит из китайских компонентов. Большинство ключевых частей разработаны внутри компании.
• Технология: Используется подход, похожий на тот, что применяют ведущие мировые производители.
• Модель: Прототип называется FlintNano LPP-OXXO. Это маломощный EUV-источник, использующий технологию лазерной плазмы (LPP).
• Характеристики:
  • Мощность управляющего лазера: 1000 Вт
  • Частота повторения импульсов: 1–20 кГц
  • Эффективность преобразования: более 2%
  • Яркость: 100 Вт/мм²ср
  • Мощность EUV-излучения: более 15 Вт
  • Время непрерывной работы: более 100 часов
  • Размер плазмы: 60 мкм
  • Стабильность плазмы (СКО): 3%
  • Стабильность энергопотребления: 5%

Перспективы и вызовы

Серия мощных источников FlintMicro-LPP уже прошла проверку, а маломощные FlintNano-LPP вышли на стадию производства. Однако до крупномасштабного коммерческого использования прототипа Langdao Silex ещё далеко — от трёх до пяти лет.

Основные задачи:

• Увеличить выходную мощность.
• Повысить стабильность работы в долгосрочной перспективе.

Коммерческим системам литографии обычно нужны EUV-источники мощностью в несколько сотен ватт. Например, ASML использует 250-ваттные источники с 2018 года и планирует довести мощность до 1000 Вт. Переход от 15 Вт к сотням ватт требует не только увеличения мощности, но и значительного повышения стабильности плазмы, увеличения срока службы и надежности всей системы.

Источник: Время электроники