Учёные из Токийского университета нашли новый способ объединить память и обработку сигналов в одном устройстве. Они использовали планарный мемтранзистор на основе дисульфида молибдена (MoS₂).

Учёные из Токийского университета нашли новый способ объединить память и обработку сигналов в одном устройстве. Они использовали планарный мемтранзистор на основе дисульфида молибдена (MoS₂).
Обычно для управления памятью в таких устройствах переключающий материал добавляют по всему каналу. Японские исследователи пошли другим путём: они выборочно изменили электрические контакты транзистора, обработав их раствором AuCl₃.
Эта обработка меняет, как металлический электрод взаимодействует с MoS₂. В результате, захват и высвобождение заряда на этом стыке динамически меняют барьер Шоттки. Именно он контролирует подачу носителей заряда.
Такой подход обеспечивает плавное биполярное переключение, почти не затрагивая сам канал MoS₂. Измерения показали, что высота барьера Шоттки увеличилась с 40,8 мВ до 196 мВ после обработки AuCl₃.
Исследователи выяснили, что эта динамика, управляемая контактами, может воспроизводить функции биологических синапсов. Устройство демонстрировало:
Чтобы проверить возможности устройства в реальных задачах, команда использовала его для обработки сигналов ЭКГ. Один мемтранзистор, работая с 10 виртуальными узлами, мультиплексированными по времени, успешно анализировал сегменты сердечных сокращений из большой базы данных. Это открывает новые перспективы для устройств, способных одновременно хранить и обрабатывать информацию.
Источник: Время электроники



