Micron представил модуль DDR5 на 512 ГБ

Компания Micron Technology показала первый в мире модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ. Это стало возможным благодаря новой технологии вертикальных межсоединений.

Технология

В этом модуле чипы DRAM расположены вертикально и соединены через сквозные кремниевые переходы (TSV). Это позволяет добиться максимальной плотности памяти, не теряя в производительности. Такая конструкция важна для современных центров обработки данных.

Преимущества

• Большой объем: До 12 ТБ оперативной памяти можно установить в двухсокетный сервер с 24 слотами.
• Высокая производительность: Модули Micron RDIMM 512 ГБ могут увеличить производительность до 1,4 раза по сравнению с DDR5 256 ГБ. Это особенно заметно в задачах по анализу данных (например, SVM в Spark).
• Работа с базами данных: Модуль улучшает работу с ресурсоемкими базами данных и кэшированием (RocksDB, Redis). Он повышает пропускную способность, параллелизм и помогает лучше масштабировать данные.

Даррин Алвес из JPMorgan Chase отметил, что такая память поможет компаниям обрабатывать большие объемы данных прямо в ОЗУ, повышая эффективность и гибкость работы.

Источник: Время электроники