Новый SiC MOSFET с суперпереходом обещает прорыв

Учёные разработали первый в мире полевой MOSFET с суперпереходом на основе карбида кремния (SiC). Это прорывная технология для высоковольтных устройств.

Ключевые характеристики

Новый транзистор имеет:

• Напряжение пробоя 1635 В.
• Удельное сопротивление в открытом состоянии (RDS(on),sp):
  • 1,27 мОм·см² при комнатной температуре.
  • 1,5 мОм·см² при 175 °C.

Температурная стабильность

Главное преимущество новинки — стабильность характеристик при изменении температуры.

• Нулевой температурный дрейф сопротивления в диапазоне 25–125 °C.
• Температурный коэффициент менее 1,2× при 175 °C.

Обычные SiC транзисторы имеют коэффициент 1,8–2,2, что приводит к заметному росту сопротивления при нагреве и потерям мощности. Новый дизайн с суперпереходом на основе SiC решает эту проблему, обеспечивая баланс между напряжением пробоя и сопротивлением в открытом состоянии.

Применение

Такие характеристики делают новый MOSFET идеальным для:

• Транспортных средств на новых источниках энергии (NEV).
• Систем накопления энергии.
• Высоковольтного промышленного оборудования.

Это важный шаг в развитии высоковольтных SiC устройств следующего поколения.

Источник: Время электроники