Новый вертикальный транзистор на оксиде галлия

Шанхайская компания Jiachi Power Technology объявила о разработке первого в мире вертикального MOSFET-транзистора на основе оксида галлия. Он имеет ток в открытом состоянии более 1 А и напряжение пробоя выше 900 В.

Решение проблем

Раньше для мощных транзисторов на оксиде галлия было сложно добиться стабильного легирования p-типа. Из-за этого вертикальные MOSFET-транзисторы с током более 1 А не встречались, что мешало их выходу на рынок.

Jiachi Power Technology решила эти проблемы, изменив архитектуру устройств и производственные процессы:

• Разработаны собственные ячейки и структуры для транзисторов, что позволяет точно контролировать геометрию и распределение электрического поля. Это повышает стабильность и устойчивость к пробою.
• Создан новый процесс самосовмещаемой ионной имплантации для канала транзистора, что позволило точно формировать канал и равномерно распределять легирующие примеси.

Результаты испытаний

После полного цикла изготовления и электрических испытаний были получены следующие результаты:

• Пороговое напряжение: 3,9 В, что обеспечивает стабильную работу.
• Ток во включенном состоянии: 1,2 А.
• Удельное сопротивление во включенном состоянии: 33 мОм·см².
• Рабочее напряжение: 750 В.
• Пробивное напряжение: более 900 В.

Это первый в мире вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия с током во включенном состоянии более 1 А.

Источник: Время электроники