Учёные успешно запустили производство высокотемпературных транзисторов на уровне пластин. Это важный шаг для создания электроники, работающей в самых суровых условиях.

Учёные успешно запустили производство высокотемпературных транзисторов на уровне пластин. Это важный шаг для создания электроники, работающей в самых суровых условиях.
Это означает, что компоненты становятся очень маленькими и эффективными. Для производства интегральных схем нужно много крошечных транзисторов. Переход на уровень пластин позволяет сделать это в промышленных масштабах.
Команда применила свою технологию изготовления полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (JFET), которую они уже отработали на уровне отдельных чипов. Теперь её успешно перенесли на массовое производство.
В итоге удалось получить карбидокремниевый транзистор на 6-дюймовой пластине. Он показал отличную однородность: отклонение порогового напряжения в центре пластины составило менее 0,07 вольта. Это подтверждает, что технологию можно использовать для производства сложных интегральных схем.
Такие транзисторы открывают новые возможности. Они могут быть использованы там, где обычная электроника не выдерживает:
Это исследование — важный шаг к созданию электроники для экстремальных условий, расширяющий возможности полупроводниковых технологий.
Источник: Время электроники



